Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6070JNZ4C13
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6070JNZ4C
R6070JNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor R6070JNZ4C13, 600V/70A N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 58mOhm (max) düşük on-resistance ile güç kaybı minimize edilmiştir. 770W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde AC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltaj aralığı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama yelpazesi sunar. PRESTOMOS teknolojisi ile geliştirilmiş bu MOSFET, hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans değerleri ile verimli devre tasarımına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 770W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 35A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok