Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6050JNZC17
MOSFET N-CH 600V 50A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6050JNZC17
R6050JNZC17 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6050JNZC17, 600V drain-source gerilim dayanımına sahip N-channel MOSFET transistördür. 50A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 83mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 120W güç saçma kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bileşen, anahtarlama çalışmalarında, güç dönüştürücülerde ve motorlar gibi yüksek akım gerektiren endüstriyel uygulamalarda yer alır. ±30V gate-source gerilim aralığında çalışabilen transistör, 150°C maksimum bileşen sıcaklığında işletilir. 120nC gate charge ve 4500pF giriş kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 25A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok