Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6050JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6050JNZ4C
R6050JNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6050JNZ4C13, 600V drain-source gerilim kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET transistördür. 50A sürekli drain akımı ve 83mOhm maksimum RDS(on) değeriyle (25A, 15V koşullarında) verimli güç anahtarlaması sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 615W güç dağılım kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılabilir. TO-247-3 paket tipiyle Through Hole montajına uygun olan bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları ve enerji yönetimi devrelerinde yer alır. Gate charge değeri 120nC ve 4500pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 615W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 25A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok