Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6047ENZ4C13
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6047ENZ4C
R6047ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6047ENZ4C13, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-kanal MOSFET'tir. 47A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 72mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, switching güç kaynakları, motor sürücüler, endüstriyel invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C (TJ) maksimum işletme sıcaklığı ve 481W güç yayılım kapasitesi ile termal olarak verimli çalışma sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold gerilimi kontrollü ve güvenli komutasyon özelliği verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 481W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 25.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok