Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6047ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6047ENZ1C
R6047ENZ1C9 Hakkında
R6047ENZ1C9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ile 47A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 72mOhm (max) on-state direncine ve 145nC gate yüküne sahiptir. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar işletim sıcaklığını destekler. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları ve motor sürücü sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Cihazın güç dağılımı kapasitesi maksimum 120W'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 25.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok