Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6035KNZC8

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6035KNZC

R6035KNZC8 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6035KNZC8, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel güç MOSFET'idir. 35A sürekli dren akımı kapasitesi ve 10V gate geriliminde 102mOhm maksimum RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. TO-3PF paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 102W güç saçabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok