Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6035KNZC17

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6035KNZC17

R6035KNZC17 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6035KNZC17, 600V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 35A sürekli drain akımı kapasitesi ve 102mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama devrelerinde verimliliği sağlar. TO-3P-3 kütüplemesi ile güçlü ısıl yönetim özelliği sunarak, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde uygulanır. ±20V gate gerilimi aralığı ve 5V eşik gerilimi ile çeşitli sürücü devrelerle uyumludur. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 102W güç yayılım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok