Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6035KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6035KNZ4C
R6035KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6035KNZ4C13, 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 35A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 102 mOhm'luk maksimum drain-source direnci (Rds On) ve 72 nC gate yükü (Qg) ile verimli güç yönetimi sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel enerji dönüştürücüleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve ağır yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-247 montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir ve 379W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 379W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok