Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6035KNZ1C9

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
R6035KNZ1C

R6035KNZ1C9 Hakkında

R6035KNZ1C9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 35A sürekli dren akımı kapasitesine ve 102mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 72nC gate charge ve 3000pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 379W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Güç elektronikleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma sağlar. Ürün şu anda tüketimden kaldırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 379W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok