Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6035ENZC8
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6035ENZ
R6035ENZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6035ENZC8, 600V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3PF paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 102mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. 110nC gate charge ve 2720pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 120W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Cihaz şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok