Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6035ENZC17
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6035ENZ
R6035ENZC17 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6035ENZC17, 600V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi olan N-Channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltajlı güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 102mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. 110nC gate charge ve 2720pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özellikleri sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile esnek sürücü uygulamaları destekler. 120W maksimum güç disipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel güç dönüştürücü, inverter ve motor kontrol devreleri gibi ağır yük uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok