Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6035ENZ1C9
R6035ENZ1C9 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6035ENZ1C9, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET transistördür. 35A sürekli drain akımı ve 102mOhm düşük RDS(on) direnci sayesinde, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde etkili bir çözüm sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 120W güç tüketebilir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bileşen, 10V drive voltajında optimize edilmiştir ve 110nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel ve ticari güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilen, through-hole montaj tipi bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok