Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030MNX
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030MN
R6030MNX Hakkında
R6030MNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 30A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge değeri 43nC ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 90W güç yayılımına dayanır. Endüstriyel uygulamalar, AC/DC adaptörleri, switched-mode power supplies (SMPS), motor kontrol ve enerji yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok