Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6030KNZC8

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6030KNZC

R6030KNZC8 Hakkında

R6030KNZC8, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3PF pakette sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 130mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 56nC, input capacitance ise 2350pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 86W güç dağıtımına kapasite sağlar. Endüstriyel anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Vgs maksimum ±20V, threshold gerilimi 5V @ 1mA'dir. Bileşen güncel üretimde olmayıp, arşivsel/legacy uygulamalar için mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok