Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030KNZC17
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030KNZC
R6030KNZC17 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030KNZC17, 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3PF paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 130mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji dönüşüm devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği ile güvenilir performans sağlar. Düşük gate charge (56nC) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok