Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030KNZ1C
R6030KNZ1C9 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030KNZ1C9, 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. 130mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 305W maksimum güç dağılım kapasitesi ile yüksek güçlü sistemlerde etkili performans gösterir. Bileşen şu anda Obsolete (üretilmiyor) konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 305W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok