Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030KNXC7G
600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030KNXC7G
R6030KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030KNXC7G, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 30A sürekli drain akımı kapasitesi ve TO-220FM paketleme ile gücü elektronik devrelere aktarır. 130mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama hızı yüksek olan bu bileşen, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, elektrik araç şarj sistemleri ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok