Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6030KNXC7

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6030KNXC7

R6030KNXC7 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030KNXC7, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir N-Channel MOSFET transistördür. 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 130mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli güç dağıtımı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 10V drive voltajı ile kontrol edilir ve 86W maksimum güç yayılması kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok