Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030JNZC8
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030JNZC8
R6030JNZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030JNZC8, 600V drenaj-kaynak gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-3PF paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. 143mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 93W güç dissipasyonuna sahiptir. Bileşen mevcut üretimde bulunmamaktadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 93W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 143mOhm @ 15A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 5.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok