Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6030JNZC17

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6030JNZC

R6030JNZC17 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030JNZC17, 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3PF paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirir. 143mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. 74nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleri ile kontrollü anahtarlama sağlar. İletken kanal genişliğinde 15V drive voltage uygulanır. -150°C maksimum junction sıcaklığında 93W güç saçabilir. Endüstriyel dönüştürücüler, DC-DC üniteleri, motor denetim devreleri ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 15A, 15V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 5.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok