Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030JNZ4C
R6030JNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030JNZ4C, 600V drain-source gerilime sahip N-Channel Power MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 30A sürekli drain akımı ve 143mOhm'luk maksimum On-direnç (15V, 15A koşullarında) ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, 370W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 74nC gate yükü ve 2500pF input kapasitansi ile düşük sürüş gereksinimlerine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanım için uygundur. ±30V gate-source gerilim aralığında ve 7V threshold gerilimi ile güvenli anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 143mOhm @ 15A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 5.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok