Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6030JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6030JNXC7G

R6030JNXC7G Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030JNXC7G, 600V Drain-Source gerilim toleransı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET transistördür. 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 15V gate sürücü voltajında 143mΩ maksimum açık durum direncine (Rds On) sahiptir. TO-220-3 paketlemesiyle devre kartlarına kolayca monte edilebilen transistör, güç kaynakları, motor sürücüler, şarj devreleri ve indüktif yük kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 95W güç dağılımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. ±30V gate gerilim toleransı, geniş uygulama yelpazesine uyum sağlamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 15A, 15V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 5.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok