Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030ENZM12C8
MOSFET N-CH 600V 30A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030ENZ
R6030ENZM12C8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6030ENZM12C8, 600V drain-source voltajında 30A sürekli dren akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 130mOhm maksimum RDS(on) değeri ile elektrik-mekanik röle kontrolleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 120W güç tahrifi yeteneği ile tasarlanmıştır. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok