Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6030ENX
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6030EN
R6030ENX Hakkında
ROHM Semiconductor R6030ENX, 600V 30A kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket ile sağlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 130mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. Sürücü devrelerine, güç kaynağı tasarımlarına, motor kontrol sistemlerine ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 40W güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığında güvenli bir şekilde çalışır. Gate charge özelliği sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok