Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6025JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6025JNZ4C
R6025JNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6025JNZ4C13, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (182mOhm) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 12.5A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 4.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok