Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6025JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6025JNX

R6025JNXC7G Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6025JNXC7G, 600V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yer alır. 182mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. 85W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 12.5A, 15V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 4.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok