Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6025FNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6025FN
R6025FNZ1C9 Hakkında
ROHM Semiconductor R6025FNZ1C9, 600V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 25A sürekli dren akımı ve TO-247-3 paketine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180mOhm RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 150W güç yönetebilen bu transistör, -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 85nC olup, 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok