Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6025ANZFL1C8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6025ANZFL1C
R6025ANZFL1C8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6025ANZFL1C8, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 25A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 150mOhm maksimum on-direnç (Rds On) özelliğine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 150W güç dağıtabilir. ±30V gate gerilimi aralığında ve 10V drive voltajında optimize edilmiştir. Bileşen üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok