Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6025ANZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6025ANZ
R6025ANZC8 Hakkında
R6025ANZC8, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 25A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve diğer güç yönetimi uygulamalarında rol oynar. 150mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli bir çalışma sağlar. 150W maksimum güç tüketimi ve -40°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ortamlarda kullanılabilirliğini artırır. Ürün üretimi durdurulmuş olup, yeniden tasarım gerektiren uygulamalar için alternatif bileşen araştırılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok