Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6024KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6024KNZ4C
R6024KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6024KNZ4C13, 600V drain-source geriliminde 24A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 10V gate sürme geriliminde 165mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 45nC gate charge ve 2000pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. En yüksek junction sıcaklığı 150°C, maksimum güç tüketimi 245W'tır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrik dönüştürücüler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 5V threshold voltajı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok