Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6024KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6024KNZ1C
R6024KNZ1C9 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6024KNZ1C9, 600V ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, 165mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 245W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve düşük kapı yükü (45nC) özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda yer bulur. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok