Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6024KNXC7G

600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6024KNXC7G

R6024KNXC7G Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6024KNXC7G, 600V drain-source voltaj kapasitesiyle tasarlanmış bir N-Channel Power MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 24A sürekli drain akımı ve 165mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürücü voltajında çalışan cihaz, 45nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitesi özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Endüstriyel güç kaynakları, motor denetim devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesinde kullanım imkanı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok