Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6024KNJTL

MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
R6024KNJTL

R6024KNJTL Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6024KNJTL, 600V drain-source voltaj değerine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 24A sürekli drain akımı kapasitesine ve 165mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj güç uygulamalarında tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakete sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 245W maksimum güç kaybı özelliğine ve 45nC gate charge değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, elektrik motorları kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve 5V threshold voltajı ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.3A, 10V
Supplier Device Package LPTS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok