Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6024ENZM12C8
MOSFET N-CH 600V 24A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6024ENZM12C
R6024ENZM12C8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6024ENZM12C8, 600V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. 120W güç dağıtma kapasitesi, 1650pF input kapasitansi ve 70nC gate charge ile power supply, inverter, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok