Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6024ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
R6024ENZ4C

R6024ENZ4C13 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6024ENZ4C13, N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 165mΩ @ 24A, 15V RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 70nC gate charge ile kontrol edilmesi kolay bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. 245W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile termal yönetimi desteklenir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 24A, 15V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok