Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6024ENJTL
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6024EN
R6024ENJTL Hakkında
R6024ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 24A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 70nC gate charge ve 1650pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özellikleri gösterir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold gerilimi ile kontrol edilebilir. 40W maksimum güç yayımlama kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, power supply ve solar inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok