Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020KNZC8
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020KNZ
R6020KNZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020KNZC8, 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3P-3 Full Pack paketinde tedarik edilen bu bileşen, yüksek gerilim güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 196mΩ maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde) ve 40nC maksimum gate yükü, verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 68W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel ve gücü yüksek uygulamalar için uygundur. Through-hole montajı ile PCB tasarımına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok