Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6020KNZC17

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6020KNZC17

R6020KNZC17 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020KNZC17, 600V drain-source voltaj ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-kanallı MOSFET transistördür. TO-3P-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 196mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 40nC gate charge ve 1550pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, endüstriyel enerji yönetimi ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışabilir ve 150°C kadar yüksek sıcaklıklarda güvenilir operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok