Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020KNZ4C
R6020KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020KNZ4C13, 600V dayanıklılığa sahip N-kanal MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli drenaj akımı ve 196mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 231W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürücü voltajında çalışan bu MOSFET, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenli operasyon sağlar. Through-hole montajı ile standart PCB üretimine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok