Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6020KNX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6020KN

R6020KNX Hakkında

R6020KNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrolörler gibi alanlarda tercih edilmektedir. 10V gate geriliminde 196mOhm düşük on-direnci, verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama ortamlarında kullanımına olanak tanır. 68W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile enerji yoğun devrelerde güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok