Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020KNJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020KNJ
R6020KNJTL Hakkında
R6020KNJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 20A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar kontrolü ve güç dönüşüm işlevlerinde kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 196mOhm (10V, 9.5A) maksimum on-state direnci ve düşük gate charge (40nC) özellikleri sayesinde hızlı komütasyon ve verimli enerji yönetimi sağlar. Endüstriyel denetim devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok