Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6020JNZC8

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6020JNZC8

R6020JNZC8 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020JNZC8, 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3P-3 Full Pack paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 76W maksimum güç dağılımı ve 234mOhm on-state direnci ile DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı ve through-hole montaj tipi endüstriyel ve ağır uygulamalar için uygundur. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 234mOhm @ 10A, 15V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 3.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok