Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020JNJ
R6020JNJGTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020JNJGTL, 600V drain-source voltaj ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapıp güç kaybını en aza indirmek için tasarlanmıştır. 234 mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate charge 45 nC ve 1500 pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 252W maksimum güç dağıtabilir. Endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve diğer yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 252W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 10A, 15V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok