Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6020FNX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6020FN

R6020FNX Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020FNX, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 20A sürekli drain akımı ve 250mΩ RDS(on) değeri ile güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. TO-220-3 paket formatında monte edilen bileşen, endüstriyel konvertörler, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 50W güç dağıtım kapasitesi ile çeşitli güç elektronik sistemlerinde uygundur. ±30V gate voltaj aralığında güvenli bir şekilde çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok