Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ENZC17
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020ENZ
R6020ENZC17 Hakkında
R6020ENZC17, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 through-hole paketlemesi ile endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve inverter devreleri gibi alanlarda yer bulur. 150°C işletme sıcaklığı ve 120W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır yük uygulamalarında çalışabilir. 196mΩ RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. 10V drive voltajı ile standart kontrol elektroniği ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok