Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ENZ4C13
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020ENZ4C
R6020ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020ENZ4C13, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET'tir. 20A sürekli drain akımı kapasitesine ve TO-247-3 paketlemesine sahip olan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 196mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilen bu transistör, 231W güç dağıtım kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok