Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020
R6020ENZ1C9 Hakkında
R6020ENZ1C9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 196mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 120W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel invertörler, motor kontrol devrelerine, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde tercih edilir. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilen bileşen, 60nC gate charge ve 1400pF input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C (junction) olarak belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok