Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ENXC7G
600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020EN
R6020ENXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020ENXC7G, 600V drain-source gerilim ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 Full Pack paketleme ile üretilen bu bileşen, düşük gate charge (60nC) ve kontrollü RDS(on) değerleri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı, 150°C maksimum bağlantı sıcaklığı ve 68W güç disipasyon kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj özelliği ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok