Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ENX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020EN
R6020ENX Hakkında
R6020ENX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve LED sürücüleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 196mΩ maksimum on-direnç değeri ile enerji kaybını minimize ederken, 60nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V gate-source gerilim aralığı ile çalışabilen cihaz, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir işletme sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok