Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ANZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020ANZC
R6020ANZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6020ANZC8, 600V'luk drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET'tir. 20A sürekli drain akımı kapasitesi ve 220mΩ on-dirençi ile düşük kayıp anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. TO-3P-3 through-hole paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motorlu sistemler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 150°C junction sıcaklığında 120W güç dağıtabilir. ±30V gate-source gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok